Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Артикул: 11005786
Цена
3449 руб.
3449 руб.
Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
Гарантия: 3 года
Технические характеристики
| Основные характеристики | - |
| Производитель | Samsung |
| Линейка | - |
| Модель | M323R1GB4DB0-CWM |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Частота MHz | DDR4 - 4800 |
| Тип модуля | DIMM |
| Объем одного модуля ГБ | 8 |
| Количество модулей в комплекте шт | 1 |
| Общий объем памяти ГБ | 8 |
| Пропускная способность МБ/с | 38400 |
| Количество чипов на модуле | - |
| Количество контактов | 288 |
| Тайминги | - |
| CAS Latency CL | 40 |
| RAS to CAS Delay tRCD | - |
| Row Precharge Delay tRP | - |
| Activate to Precharge Delay tRAS | - |
| Тайминги | - |
| Охлаждение | - |
| Поддержка водяного охлаждения | - |
| Дополнительные характеристики | - |
| Цвет | - |
| Напряжение В | 1.1 |
| Нормальная операционная температура Tcase | - |
| Расширенная операционная температура Tcase | - |
| Компоновка чипов на модуле | - |
| Чип | - |
| Потребление энергии | - |
| Габариты мм | - |
| Высота мм | - |
| Вес грамм | - |
| Дополнительная информация | - |
| Сервисный центр производителя | http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do |
Внешний вид товара и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений.
При заказе оборудования, проверяйте заявленные характеристики на официальных сайтах производителя
При заказе оборудования, проверяйте заявленные характеристики на официальных сайтах производителя
